HORIBA电容压力计原理、特性与真空工艺应用

日期：2026-10-03 13:59

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摘要：HORIBA（堀场）VG-521S 系列属于自温控型电容式隔膜压力计（电容真空计），型号 VG-521S-11T2008CR 是面向半导体、镀膜、干法刻蚀、精密真空制程定制规格。设备基于电容隔膜传感原理，实现气体种类低依赖性压力测量，不受气体组分变化显著影响，是真空腔体闭环压力控制的核心测量单元。区别于热传导式真空规，电容压力计直接测量总压力，测量结果与气体分子量关联微弱，适合多种工艺气体切换工况；内置恒温加热模块，抑制工艺介质冷凝，长期运行零点漂移可控，广泛应用于对压力稳定性、测量重复性要求严苛的真空产线。完整型号...

HORIBA（堀场）VG-521S 系列属于自温控型电容式隔膜压力计（电容真空计），型号 VG-521S-11T2008CR 是面向半导体、镀膜、干法刻蚀、精密真空制程定制规格。设备基于电容隔膜传感原理，实现气体种类低依赖性压力测量，不受气体组分变化显著影响，是真空腔体闭环压力控制的核心测量单元。

区别于热传导式真空规，电容压力计直接测量总压力，测量结果与气体分子量关联微弱，适合多种工艺气体切换工况；内置恒温加热模块，抑制工艺介质冷凝，长期运行零点漂移可控，广泛应用于对压力稳定性、测量重复性要求严苛的真空产线。

完整型号编码解析：

VG-521S：产品系列型号

11T：量程规格

200：传感器温控温度 200℃

8CR：接口规格 1/2 VCR 内螺纹接头

二、测量基本原理

传感器内部由隔膜将腔体分隔为基准真空室与测量腔室。基准腔维持高真空，隔膜一侧接触工艺气体。当测量腔压力发生变化，隔膜产生弹性形变，隔膜与固定电极之间距离改变，形成电容值变化。内置信号处理电路持续采集电容信号，换算为压力数值，终输出标准化模拟电压信号。

隔膜采用耐蚀镍合金基材，搭配 SUS316L 接气金属结构，具备优良抗腐蚀能力，可耐受卤素、有机蒸气等常见工艺介质。

三、VG-521S-11T2008CR 核心技术规格

型号：VG-521S-11T2008CR
产品类型：电容式压力计（Capacitance Manometer）
量程规格：11T（13.332 kPa 绝压）
传感器温控：200℃恒温控制
过程接口：1/2 VCR Female（8CR）
供电电源：DC15V±5%
模拟输出：0～10 VDC，负载电阻≥10 kΩ
响应时间：＜60 ms，支持快速压力波动捕捉
精度：0.3% R.S.
分辨率：0.01% F.S.
零温漂系数：0.008 % F.S./℃
跨度温度系数：0.02 % R.S./℃
允许加压极限：350 kPa（绝压）
接气部材质：SUS316L、镍合金隔膜
环境工作温度：10 ℃～50 ℃
预热稳定时间：120 min
开关输出：4 组常开继电器接点（压力设定报警、加热器故障、传感器就绪信号）
电气接口：D-Sub 15Pin

四、核心技术优势

200℃高温恒温传感器，有效防止介质冷凝

持续维持隔膜区域恒定高温，避免有机前驱体、易冷凝工艺气体附着在隔膜表面，杜绝污染导致灵敏度衰减，延长传感器使用寿命，适配 ALD、PVD、刻蚀等含易挥发介质工艺。
气体依赖性低，多气体工况测量稳定

测量原理不依赖气体热传导特性，更换氮气、氩气、特种工艺气体时无需频繁修正补偿系数，简化产线调试流程，保证工艺一致性。
高精度与低温度漂移

内置温度补偿算法，搭配精密隔膜加工工艺，零点与量程温漂指标优异，长时间连续生产工况下测量重复性高，保障薄膜均匀性、刻蚀速率稳定。
全金属密封结构，适配高洁净真空制程

无有机密封件，低放气设计，满足半导体、光学镀膜洁净度要求；VCR 金属面密封接头，拆装后真空密封性重现性良好。
完备状态监测与报警输出

集成加热器异常报警、传感器就绪信号、两路压力阈值触点输出，可直连设备 PLC，实现压力超限联锁、异常停机保护，便于自动化产线闭环管控。
标准化模拟信号，系统兼容性强

0–10VDC 模拟输出可直接接入真空控制器、MFC 流量控制系统、工控采集模块，快速搭建压力闭环控制回路。

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