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产品详情
简单介绍:
ULVAC 爱发科 Model:HR 为半导体严苛制程专用多级罗茨干式真空泵,整机腔体恒温均热设计,可维持工艺副产物气态排出,避免内壁结晶堵塞。内腔零部件做高硬度防腐处理,适配卤素腐蚀尾气工况,搭载屏蔽密封电机与断电瞬停保护,配套节能模组与数据通讯功能,适配晶圆蚀刻、薄膜沉积等高精密真空制程。
详情介绍:
ULVAC 爱发科 高温均热防腐干泵 Model:HR Model:HR
ULVAC 爱发科 高温均热防腐干泵 Model:HR Model:HR
ULVAC Model:HR 系列覆盖 HR60、HR90、HR180、HR421 多梯度标准机型,各型号大抽气速度区间覆盖 62 至 608m³/h,极限真空分级可达 0.067Pa 至 5Pa,适配 6 寸、8 寸、12 寸不同尺寸晶圆设备配套需求。全系采用三相工业交流供电,兼容 AC200V、AC220V 双电压制式,适配国内外半导体产线供电标准。吸气端配置 VG/KF 快拆法兰、ISO 标准大口径法兰两类接口,排气端口统一搭载 KF40 通用法兰,可直接对接尾气处理管路。整机配备水冷循环温控系统,冷却水流量匹配机型抽速梯度设置,依靠水循环稳定维持腔体恒温区间。设备自重随机型从 180kg 至 420kg 梯度分布,适配设备机房承重布局;运行电流区分稳定工况峰值电流两类参数,内置过载、超温、压力异常多重传感监测,运行噪音经过腔体气流优化,适配洁净半导体厂房低噪声作业环境,可搭配 ECO-SHOCK 节能模块作为标准化选配组件。
Model:HR 采用多级罗茨干式无油啮合结构,摒弃润滑油润滑介质,从根源杜绝油雾返流污染晶圆腔体,满足半导体洁净制程标准。设备核心优势为全域腔体均热技术,运行时整体泵腔稳定维持 120℃至 150℃恒温区间,蚀刻、CVD 工艺产生的氟化物、氯化物升华粉体可全程保持气态随气流排出,大幅减少内壁结晶、粉体堆积造成的堵泵故障,延长整机维护周期。转子、气缸等核心过流部件采用高硬度特种表面防腐处理,抵御卤素、酸性腐蚀气体长期侵蚀;驱动端配置屏蔽式氦密封电机,密闭式结构降低介质渗透风险,提升设备运行。整机搭载毫秒级断电瞬停防护架构,短时断电工况下可维持内部压力稳定,规避工艺腔体压力倒灌。设备内置标准化通讯接口,可实时上传温度、真空度、运行电流、故障报警等数据,适配产线集中监控系统;分体模块化布局拆分冷却、传动、密封单元,常规检修无需整机拆解,降低运维操作难度。
Model:HR 定向适配产生腐蚀气体、升华粉体副产物的半导体中高真空制程,是晶圆制造设备核心前级真空单元。芯片蚀刻工艺中,可处理卤素酸性蚀刻尾气,恒温腔体避免蚀刻副产物结晶堆积,保障腔体真空环境稳定;化学气相沉积 CVD、原子层沉积 ALD 工序内,持续排出硅基、金属氧化物粉体挥发物,维持薄膜沉积工艺所需均匀真空环境。等离子灰化设备配套使用时,适配光刻胶分解有机废气,防腐内腔结构耐受有机介质长期冲刷。除半导体晶圆产线外,该系列也可用于光学元器件镀膜、特种材料等离子表面改性等精密工艺,针对含微量腐蚀介质、易析出固体副产物的真空作业具备良好适配性。标准化法兰与通讯接口可无缝对接自动化工艺设备,适配新建产线真空系统搭建与老旧真空机组改造替换,全压力区间连续运行特性适配工艺腔体循环升降真空的连续化生产流程。
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