（一）规格参数
本品物相为高纯 α- 氧化铝，依托烷氧基铝水解工艺制备，各批次粉体理化指标保持稳定一致。原生颗粒为近球形超细晶体，粒径区间经过精准调控，严格管控粗大颗粒混入体系。生产环节执行深度提纯工艺，纯度达到 4N 级别，碱金属、重金属等有害杂质维持低位，可溶性离子含量控制严格。粉体原生团聚程度较轻，常规仓储环境不易结块，含水率处于较低水平，无需复杂打散预处理，可直接投入湿法浆料制备、干法混料工序，满足产品持续性量产需求。
（二）产品特性
粉体晶体发育规整，粒径分布区间狭窄，成型坯体内部组织结构细密均匀，有助于提升烧成制品尺寸稳定性与力学性能。粉体表面特性温和，与水性溶剂、有机溶剂、各类树脂载体相容性良好，调配浆料不易发生沉降、团聚分层现象。粉体烧结活性适中，在标准烧结区间内可实现充分致密化，烧制完成后晶粒细小均匀。同时具备良好的等离子耐受能力，低离子特性能够降低精密电子元器件长期运行产生的性能劣化风险，长期储存粉体理化状态维持稳定。
（三）主要应用领域
粉体可用于半导体制程精密陶瓷构件、等离子工况零部件制备，适配严苛的生产使用环境。可制作透光氧化铝陶瓷、光学基材，同时应用于电子绝缘陶瓷坯体加工。也可作为功能性填料、精细抛光原料投入生产，还可搭配其他粉体充当烧结助剂，兼容流延成型、干压成型、注浆成型等多种精细陶瓷成型工艺。